Infineon Technologies - 56DN06ELEMXPSA1

KEY Part #: K6441213

56DN06ELEMXPSA1 価格設定(USD) [372個在庫]

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品番:
56DN06ELEMXPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 6400A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

56DN06ELEMXPSA1 製品の属性

品番 : 56DN06ELEMXPSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 600V 6400A
シリーズ : -
部品ステータス : Last Time Buy
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 6400A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.15V @ 10000A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 100mA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : DO-200AB, B-PUK
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 180°C

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