DMN2013UFX-7 価格設定（USD） [297714個在庫]
- 1 pcs$0.12424
- 品番:
- DMN2013UFX-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 electronic components. DMN2013UFX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2013UFX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2013UFX-7 製品の属性
品番 :
DMN2013UFX-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
57.4nC @ 8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2607pF @ 10V
パワー-最大 :
2.14W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
6-VFDFN Exposed Pad
サプライヤーデバイスパッケージ :
W-DFN5020-6
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