メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHAN 41V 60V X1-DFN1006
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
320mA (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
1.5V, 4V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2 Ohm @ 100mA, 4V
Vgs(th)(最大)@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
64pF @ 25V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
X1-DFN1006-3