VS-FC80NA20 価格設定（USD） [3234個在庫]
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- 品番:
- VS-FC80NA20
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 200V 108A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-FC80NA20 electronic components. VS-FC80NA20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-FC80NA20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-FC80NA20 製品の属性
品番 :
VS-FC80NA20
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
MOSFET N-CH 200V 108A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
108A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
161nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
10720pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
405W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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