Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-FC80NA20

KEY Part #: K6394510

VS-FC80NA20 価格設定(USD) [3234個在庫]

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品番:
VS-FC80NA20
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
MOSFET N-CH 200V 108A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-FC80NA20 製品の属性

品番 : VS-FC80NA20
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : MOSFET N-CH 200V 108A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 108A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 161nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10720pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 405W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-227
パッケージ/ケース : SOT-227-4, miniBLOC