Microsemi Corporation - APTDF200H100G

KEY Part #: K6539872

APTDF200H100G 価格設定(USD) [1370個在庫]

  • 1 pcs$31.59836
  • 100 pcs$31.45209

品番:
APTDF200H100G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 255A SP6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTDF200H100G 製品の属性

品番 : APTDF200H100G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 255A SP6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Single Phase
技術 : Standard
電圧-ピーク逆方向(最大) : 1kV
電流-平均整流(Io) : 255A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.7V @ 200A
電流-Vrでの逆漏れ : 100µA @ 1000V
動作温度 : -40°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : SP6
サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

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