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- 品番:
- FGP5N60UFDTU
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- IGBT 600V 10A 81W TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FGP5N60UFDTU electronic components. FGP5N60UFDTU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FGP5N60UFDTU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FGP5N60UFDTU 製品の属性
品番 :
FGP5N60UFDTU
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
IGBT 600V 10A 81W TO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
600V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
10A
電流-パルスコレクター（Icm） :
15A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.4V @ 15V, 5A
パワー-最大 :
81W
スイッチングエネルギー :
75µJ (on), 59µJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
19.5nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
6ns/44ns
試験条件 :
400V, 5A, 20 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
30ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220-3
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