STMicroelectronics - STGD5H60DF

KEY Part #: K6424960

STGD5H60DF 価格設定(USD) [180195個在庫]

  • 1 pcs$0.20526
  • 2,500 pcs$0.18272

品番:
STGD5H60DF
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H S.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STGD5H60DF electronic components. STGD5H60DF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGD5H60DF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGD5H60DF 製品の属性

品番 : STGD5H60DF
メーカー : STMicroelectronics
説明 : TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT H S
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 10A
電流-パルスコレクター(Icm) : 20A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 1.95V @ 15V, 5A
パワー-最大 : 83W
スイッチングエネルギー : 56µJ (on), 78.5µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 43nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 30ns/140ns
試験条件 : 400V, 5A, 47 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 134.5ns
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK