VSSB410S-M3/52T 価格設定（USD） [506068個在庫]
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- 品番:
- VSSB410S-M3/52T
- 詳細な説明:
- DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA. Schottky Diodes & Rectifiers 4A,100V,TRENCH SKY RECT.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VSSB410S-M3/52T electronic components. VSSB410S-M3/52T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VSSB410S-M3/52T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VSSB410S-M3/52T 製品の属性
品番 :
VSSB410S-M3/52T
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA
シリーズ :
TMBS®
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
100V
電流-平均整流（Io） :
1.9A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
770mV @ 4A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
250µA @ 100V
静電容量@ Vr、F :
230pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AA, SMB
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AA (SMB)
動作温度-ジャンクション :
-40°C ~ 150°C
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