Rohm Semiconductor - RFUH30TS6SGC11

KEY Part #: K6441552

RFUH30TS6SGC11 価格設定(USD) [25621個在庫]

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品番:
RFUH30TS6SGC11
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RFUH30TS6SGC11 製品の属性

品番 : RFUH30TS6SGC11
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP 600V 15A TO247
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 15A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.8V @ 30A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 600V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247
動作温度-ジャンクション : 150°C (Max)

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