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- 品番:
- SI7107DN-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7107DN-T1-GE3 electronic components. SI7107DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7107DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7107DN-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SI7107DN-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 450µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
44nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8
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