Toshiba Semiconductor and Storage - HN2S03T(TE85L)

KEY Part #: K6476382

[5780個在庫]


    品番:
    HN2S03T(TE85L)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage HN2S03T(TE85L) electronic components. HN2S03T(TE85L) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HN2S03T(TE85L), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    HN2S03T(TE85L) 製品の属性

    品番 : HN2S03T(TE85L)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : DIODE ARRAY SCHOTTKY 20V TESQ
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオード構成 : 2 Independent
    ダイオードタイプ : Schottky
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 20V
    電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 50mA
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 550mV @ 50mA
    速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    逆回復時間(trr) : -
    電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 20V
    動作温度-ジャンクション : 125°C (Max)
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 4-SMD, Flat Leads
    サプライヤーデバイスパッケージ : TESQ

    あなたも興味があるかもしれません
    • SB80W06T-P-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 4A TPFA.

    • APT10SCD65KCT

      Microsemi Corporation

      DIODE SILICON 650V 17A TO220.

    • MBR10100CT-LJ

      Diodes Incorporated

      DIODE ARRAY 100V 5A TO220AB.

    • BAV99-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3.

    • VS-6CWQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V DPAK.

    • VS-6CWQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V DPAK.