GeneSiC Semiconductor - MBRT600200R

KEY Part #: K6472105

MBRT600200R 価格設定(USD) [755個在庫]

  • 1 pcs$45.89653
  • 10 pcs$40.09259
  • 25 pcs$38.22151

品番:
MBRT600200R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers 200V 600A Reverse
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBRT600200R 製品の属性

品番 : MBRT600200R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3 TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 300A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 920mV @ 300A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 200V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Three Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Three Tower
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