Vishay Semiconductor Diodes Division - V80H150PW-M3/4W

KEY Part #: K6476269

V80H150PW-M3/4W 価格設定(USD) [5819個在庫]

  • 1,500 pcs$1.28186

品番:
V80H150PW-M3/4W
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 80A 150V TO-3PW.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division V80H150PW-M3/4W electronic components. V80H150PW-M3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for V80H150PW-M3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V80H150PW-M3/4W 製品の属性

品番 : V80H150PW-M3/4W
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE SCHOTTKY 80A 150V TO-3PW
シリーズ : TMBS®
部品ステータス : Obsolete
ダイオード構成 : 1 Pair Common Cathode
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 40A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 910mV @ 40A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 300µA @ 150V
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-3P-3 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-3PW

あなたも興味があるかもしれません
  • SB80W06T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V 4A TPFA.

  • V40150CHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40A 150V TO-220AB.

  • V40120CHM3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40A 120V TO-220AB.

  • APT10SCD65KCT

    Microsemi Corporation

    DIODE SILICON 650V 17A TO220.

  • MBR10100CT-LJ

    Diodes Incorporated

    DIODE ARRAY 100V 5A TO220AB.

  • BAV99-D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE ARRAY GP 70V 200MA SOT23-3.