CSD86330Q3D 価格設定（USD） [107742個在庫]
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- 品番:
- CSD86330Q3D
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD86330Q3D electronic components. CSD86330Q3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD86330Q3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD86330Q3D 製品の属性
品番 :
CSD86330Q3D
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
シリーズ :
NexFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
25V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
920pF @ 12.5V
パワー-最大 :
6W
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerLDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-LSON (3.3x3.3)
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