JANTXV1N5551US 価格設定（USD） [4446個在庫]
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- 品番:
- JANTXV1N5551US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A STD 400V HRV
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, パワードライバーモジュール and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5551US electronic components. JANTXV1N5551US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5551US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANTXV1N5551US 製品の属性
品番 :
JANTXV1N5551US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/420
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.2V @ 9A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2µs
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, B
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5B
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 175°C
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