[12562個在庫]
- 品番:
- ZXM62N03E6TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXM62N03E6TA electronic components. ZXM62N03E6TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXM62N03E6TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXM62N03E6TA 製品の属性
品番 :
ZXM62N03E6TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-23-6
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
110 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9.6nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
380pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.1W (Ta)
動作温度 :
-
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-23-6
パッケージ/ケース :
SOT-23-6
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