[1181個在庫]
- 品番:
- IXFV12N90P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFV12N90P electronic components. IXFV12N90P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFV12N90P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFV12N90P 製品の属性
品番 :
IXFV12N90P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220
シリーズ :
HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
900V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
12A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
900 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
56nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3080pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
380W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS220
パッケージ/ケース :
TO-220-3, Short Tab
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