Toshiba Semiconductor and Storage - TPN4R303NL,L1Q

KEY Part #: K6416406

TPN4R303NL,L1Q 価格設定(USD) [247410個在庫]

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品番:
TPN4R303NL,L1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPN4R303NL,L1Q 製品の属性

品番 : TPN4R303NL,L1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
シリーズ : U-MOSVIII-H
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 40A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.3V @ 200µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14.8nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1400pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 700mW (Ta), 34W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN