ON Semiconductor - FCU2250N80Z

KEY Part #: K6419888

FCU2250N80Z 価格設定(USD) [142124個在庫]

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品番:
FCU2250N80Z
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCU2250N80Z 製品の属性

品番 : FCU2250N80Z
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
シリーズ : SuperFET® II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 260µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 585pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 39W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA