説明 :
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
2.6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4.5V @ 260µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
14nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
585pF @ 100V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ/ケース :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA