Micron Technology Inc. - M29DW323DB70ZE6E

KEY Part #: K934896

M29DW323DB70ZE6E 価格設定（USD） [9053個在庫]

1,122 pcs$1.23943

品番:: M29DW323DB70ZE6E

メーカー:: Micron Technology Inc.

詳細な説明:: IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、リニア-コンパレータ, ロジック-マルチバイブレーター, メモリ-コントローラー, ロジック-ゲートおよびインバーター-多機能、構成可能, インターフェース-センサー、静電容量式タッチ, ロジック-カウンター、ディバイダー, 組み込み-PLD（プログラマブルロジックデバイス） and PMIC-照明、バラストコントローラを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Micron Technology Inc. M29DW323DB70ZE6E electronic components. M29DW323DB70ZE6E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for M29DW323DB70ZE6E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

M29DW323DB70ZE6E 製品の属性

品番 : M29DW323DB70ZE6E

メーカー : Micron Technology Inc.

説明 : IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA

シリーズ : -

部品ステータス : Obsolete

メモリタイプ : Non-Volatile

メモリフォーマット : FLASH

技術 : FLASH - NOR

メモリー容量 : 32Mb (4M x 8, 2M x 16)

クロック周波数 : -

書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 70ns

アクセス時間 : 70ns

メモリインターフェース : Parallel

電圧-供給 : 2.7V ~ 3.6V

動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 48-TFBGA

サプライヤーデバイスパッケージ : 48-TFBGA (6x8)

最新ニュース

Micron 9300 NVMe™ SSD

Micron 9200 NVMe™ SSDs

Micron SLC NAND Flash Memory

Micron NAND Flash

Micron NAND-Based MCP

Micron 5210 ION Enterprise SATA QLC SSDs

あなたも興味があるかもしれません

W25Q128FVEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
M27W402-100B6

STMicroelectronics

IC EPROM 4K PARALLEL 40DIP.
IS61LV12824-10TQI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
IS61LV12824-10TQ-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP. SRAM 3Mb 128Kx24 10ns Async SRAM 3.3v
M27V322-100B1

STMicroelectronics

IC EPROM 32M PARALLEL 42DIP.
M27V160-100XB1

STMicroelectronics

IC EPROM 16M PARALLEL 42DIP.

English 日本語