Infineon Technologies - IRG8P50N120KD-EPBF

KEY Part #: K6423595

[9599個在庫]


    品番:
    IRG8P50N120KD-EPBF
    メーカー:
    Infineon Technologies
    詳細な説明:
    IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Infineon Technologies IRG8P50N120KD-EPBF electronic components. IRG8P50N120KD-EPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG8P50N120KD-EPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRG8P50N120KD-EPBF 製品の属性

    品番 : IRG8P50N120KD-EPBF
    メーカー : Infineon Technologies
    説明 : IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    IGBTタイプ : -
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 80A
    電流-パルスコレクター(Icm) : 105A
    Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2V @ 15V, 35A
    パワー-最大 : 350W
    スイッチングエネルギー : 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    入力方式 : Standard
    ゲートチャージ : 315nC
    Td(オン/オフ)@ 25°C : 35ns/190ns
    試験条件 : 600V, 35A, 5 Ohm, 15V
    逆回復時間(trr) : 170ns
    動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : TO-247-3
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247AD