Microsemi Corporation - JAN1N5623US

KEY Part #: K6427444

JAN1N5623US 価格設定（USD） [8850個在庫]

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100 pcs$4.65622

品番:: JAN1N5623US

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A. Rectifiers Rectifier

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5623US electronic components. JAN1N5623US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5623US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

JAN1N5623US 製品の属性

品番 : JAN1N5623US

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/429

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1000V

電流-平均整流（Io） : 1A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.6V @ 3A

速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : 500ns

電流-Vrでの逆漏れ : 500nA @ 1000V

静電容量@ Vr、F : 15pF @ 12V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : SQ-MELF, A

サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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