Vishay Semiconductor Diodes Division - EGP50B-E3/54

KEY Part #: K6447608

[1366個在庫]


    品番:
    EGP50B-E3/54
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 100V 5A GP20.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGP50B-E3/54 electronic components. EGP50B-E3/54 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGP50B-E3/54, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGP50B-E3/54 製品の属性

    品番 : EGP50B-E3/54
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 100V 5A GP20
    シリーズ : SUPERECTIFIER®
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 5A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 950mV @ 5A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 50ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : 95pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : DO-201AA, DO-27, Axial
    サプライヤーデバイスパッケージ : GP20
    動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    • EGL34DHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.

    • EGL34FHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.