SCT2080KEC 価格設定（USD） [3998個在庫]
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- 100 pcs$7.21250
- 品番:
- SCT2080KEC
- メーカー:
- Rohm Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Rohm Semiconductor SCT2080KEC electronic components. SCT2080KEC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SCT2080KEC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SCT2080KEC 製品の属性
品番 :
SCT2080KEC
メーカー :
Rohm Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
40A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
18V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
117 mOhm @ 10A, 18V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4.4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
106nC @ 18V
Vgs（最大） :
+22V, -6V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2080pF @ 800V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
262W (Tc)
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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