Toshiba Semiconductor and Storage - RN1906FE,LF(CT

KEY Part #: K6529302

RN1906FE,LF(CT 価格設定(USD) [2151400個在庫]

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品番:
RN1906FE,LF(CT
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RN1906FE,LF(CT 製品の属性

品番 : RN1906FE,LF(CT
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
トランジスタータイプ : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
抵抗-ベース(R1) : 4.7 kOhms
抵抗-エミッターベース(R2) : 47 kOhms
DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 80 @ 10mA, 5V
Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 500nA
頻度-遷移 : 250MHz
パワー-最大 : 100mW
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ : ES6

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