ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-25DBLI-TR

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IS43DR86400C-25DBLI-TR 価格設定(USD) [16145個在庫]

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品番:
IS43DR86400C-25DBLI-TR
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、メモリ-FPGAのコンフィギュレーションプロム, PMIC-照明、バラストコントローラ, PMIC-LEDドライバー, ロジック-シフトレジスタ, ロジック-トランスレーター、レベルシフター, PMIC-現在の規制/管理, ロジック-FIFOメモリ and インターフェース-アナログスイッチ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBLI-TR electronic components. IS43DR86400C-25DBLI-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-25DBLI-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-25DBLI-TR 製品の属性

品番 : IS43DR86400C-25DBLI-TR
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM - DDR2
メモリー容量 : 512Mb (64M x 8)
クロック周波数 : 400MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : 15ns
アクセス時間 : 400ps
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 1.7V ~ 1.9V
動作温度 : -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 60-TFBGA
サプライヤーデバイスパッケージ : 60-TWBGA (8x10.5)

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