メーカー :
GeneSiC Semiconductor
説明 :
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
技術 :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
3A (Tc) (95°C)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
-
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
460 mOhm @ 3A
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AB