Taiwan Semiconductor Corporation - TPAR3D S1G

KEY Part #: K6444626

TPAR3D S1G 価格設定(USD) [373472個在庫]

  • 1 pcs$0.09904

品番:
TPAR3D S1G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A. Rectifiers 95ns, 3A, 200V, Fast Recovery Rectifier
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TPAR3D S1G electronic components. TPAR3D S1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPAR3D S1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPAR3D S1G 製品の属性

品番 : TPAR3D S1G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE AVALANCHE 200V 3A TO277A
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 200V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.55V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 120ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 200V
静電容量@ Vr、F : 58pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-277, 3-PowerDFN
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-277A (SMPC)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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