Vishay Siliconix - SI3805DV-T1-GE3

KEY Part #: K6406407

SI3805DV-T1-GE3 価格設定(USD) [1330個在庫]

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品番:
SI3805DV-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, パワードライバーモジュール and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3805DV-T1-GE3 製品の属性

品番 : SI3805DV-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
シリーズ : LITTLE FOOT®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.3A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 84 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 330pF @ 10V
FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
消費電力(最大) : 1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 6-TSOP
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6