EPC - EPC2019

KEY Part #: K6417174

EPC2019 価格設定(USD) [53015個在庫]

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品番:
EPC2019
メーカー:
EPC
詳細な説明:
GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2019 製品の属性

品番 : EPC2019
メーカー : EPC
説明 : GAN TRANS 200V 8.5A BUMPED DIE
シリーズ : eGaN®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8.5A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 50 mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1.5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 2.5nC @ 5V
Vgs(最大) : +6V, -4V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 270pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : Die
パッケージ/ケース : Die
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