ON Semiconductor - NVMFS6H801NWFT1G

KEY Part #: K6397223

NVMFS6H801NWFT1G 価格設定(USD) [74988個在庫]

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品番:
NVMFS6H801NWFT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
TRENCH 8 80V NFET.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H801NWFT1G 製品の属性

品番 : NVMFS6H801NWFT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : TRENCH 8 80V NFET
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 23A (Ta), 157A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 2.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 4120pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 166W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

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