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ON Semiconductor - FQPF9N50C

KEY Part #: K6402021

[12212個在庫]

    品番:
    FQPF9N50C
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQPF9N50C electronic components. FQPF9N50C can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQPF9N50C, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQPF9N50C 製品の属性

    品番 : FQPF9N50C
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 500V 9A TO-220F
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 500V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 9A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 800 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1030pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 44W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220F
    パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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