STMicroelectronics - STGB14NC60KDT4

KEY Part #: K6423109

STGB14NC60KDT4 価格設定(USD) [95807個在庫]

  • 1 pcs$0.40812
  • 1,000 pcs$0.34323
  • 2,000 pcs$0.31956
  • 5,000 pcs$0.31561

品番:
STGB14NC60KDT4
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
IGBT 600V 25A 80W D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STGB14NC60KDT4 electronic components. STGB14NC60KDT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STGB14NC60KDT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STGB14NC60KDT4 製品の属性

品番 : STGB14NC60KDT4
メーカー : STMicroelectronics
説明 : IGBT 600V 25A 80W D2PAK
シリーズ : PowerMESH™
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : -
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 600V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 25A
電流-パルスコレクター(Icm) : 50A
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.5V @ 15V, 7A
パワー-最大 : 80W
スイッチングエネルギー : 82µJ (on), 155µJ (off)
入力方式 : Standard
ゲートチャージ : 34.4nC
Td(オン/オフ)@ 25°C : 22.5ns/116ns
試験条件 : 390V, 7A, 10 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) : 37ns
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ : D2PAK

あなたも興味があるかもしれません