[13921個在庫]
- 品番:
- ZXMNS3BM832TA
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMNS3BM832TA electronic components. ZXMNS3BM832TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMNS3BM832TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMNS3BM832TA 製品の属性
品番 :
ZXMNS3BM832TA
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
700mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.9nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
314pF @ 15V
FET機能 :
Schottky Diode (Isolated)
消費電力（最大） :
1W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-MLP, MicroFET (3x2)
パッケージ/ケース :
8-VDFN Exposed Pad
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