TSM070NA04LCR RLG 価格設定（USD） [244512個在庫]
- 1 pcs$0.15127
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM070NA04LCR RLG electronic components. TSM070NA04LCR RLG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM070NA04LCR RLG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM070NA04LCR RLG 製品の属性
品番 :
TSM070NA04LCR RLG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 40V 91A 8PDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
40V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
91A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
7 mOhm @ 14A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1469pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
113W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (5x6)
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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