Nexperia USA Inc. - PSMN3R3-40YS,115

KEY Part #: K6416590

PSMN3R3-40YS,115 価格設定(USD) [202426個在庫]

  • 1 pcs$0.18272
  • 1,500 pcs$0.17652

品番:
PSMN3R3-40YS,115
メーカー:
Nexperia USA Inc.
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V LFPAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN3R3-40YS,115 electronic components. PSMN3R3-40YS,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN3R3-40YS,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN3R3-40YS,115 製品の属性

品番 : PSMN3R3-40YS,115
メーカー : Nexperia USA Inc.
説明 : MOSFET N-CH 40V LFPAK
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2754pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 117W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LFPAK56, Power-SO8
パッケージ/ケース : SC-100, SOT-669

あなたも興味があるかもしれません
  • SQ3426EV-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP.

  • BS270

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92.

  • ZVP3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3.

  • BS170-D75Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8743TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 160A DPAK.

  • TK35A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 35A TO-220.