Sanken - SJPM-H4VR

KEY Part #: K6431679

SJPM-H4VR 価格設定（USD） [392946個在庫]

1 pcs$0.09933
1,800 pcs$0.09884
3,600 pcs$0.09011
5,400 pcs$0.08430
12,600 pcs$0.07849

品番:: SJPM-H4VR

メーカー:: Sanken

詳細な説明:: DIODE GEN PURP 400V 2A SJP.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Sanken SJPM-H4VR electronic components. SJPM-H4VR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SJPM-H4VR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

SJPM-H4VR 製品の属性

品番 : SJPM-H4VR

メーカー : Sanken

説明 : DIODE GEN PURP 400V 2A SJP

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 400V

電流-平均整流（Io） : 2A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.1V @ 2A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 400V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : 2-SMD, J-Lead

サプライヤーデバイスパッケージ : SJP

動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません

1SS193,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE GEN PURP 80V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
SICRD10650CTTR

SMC Diode Solutions

DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S.
50WQ06FNTR

SMC Diode Solutions

SCHOTTKY RECTIFIER 60V D-PAK.
SB220-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
AU3PJ-M3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,600V,FER, Avalanche SM
SS10PH45-M3/86A

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 45 Volt 200 Amp IFSM

ホットパーツ

English 日本語