CSD17382F4T 価格設定（USD） [520140個在庫]
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- 250 pcs$0.06605
- 1,250 pcs$0.03101
- 品番:
- CSD17382F4T
- メーカー:
- Texas Instruments
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Texas Instruments CSD17382F4T electronic components. CSD17382F4T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD17382F4T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD17382F4T 製品の属性
品番 :
CSD17382F4T
メーカー :
Texas Instruments
説明 :
MOSFET N-CH 30V 2.3A PICOSTAR
シリーズ :
FemtoFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
2.3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 8V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
64 mOhm @ 500mA, 8V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
2.7nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
347pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
500mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
3-PICOSTAR
パッケージ/ケース :
3-XFDFN
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