IR2112STRPBF 価格設定（USD） [56907個在庫]
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- 品番:
- IR2112STRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC. Gate Drivers HI LO SIDE DRVR 600V 200mA 135ns
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、データ収集-A / Dコンバーター（ADC）, リニア-アンプ-計装、オペアンプ、バッファアンプ, PMIC-PFC（力率補正）, ロジック-パリティジェネレーターとチェッカー, 組み込み-PLD（プログラマブルロジックデバイス）, 組み込み-マイクロコントローラー、マイクロプロセッサー、FPGAモジュール, ロジック-ユニバーサルバス機能 and クロック/タイミング-リアルタイムクロックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IR2112STRPBF electronic components. IR2112STRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IR2112STRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IR2112STRPBF 製品の属性
品番 :
IR2112STRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
駆動構成 :
Half-Bridge
チャンネルタイプ :
Independent
ドライバー数 :
2
門型 :
IGBT, N-Channel MOSFET
電圧-供給 :
10V ~ 20V
ロジック電圧-VIL、VIH :
6V, 9.5V
電流-ピーク出力（ソース、シンク） :
250mA, 500mA
入力方式 :
Non-Inverting
ハイサイド電圧-最大（ブートストラップ） :
600V
立ち上がり/立ち下がり時間（標準） :
80ns, 40ns
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ :
16-SOIC
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