Infineon Technologies - IDH10G120C5XKSA1

KEY Part #: K6442453

IDH10G120C5XKSA1 価格設定(USD) [10390個在庫]

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品番:
IDH10G120C5XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC CHIP/DISCRETE
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDH10G120C5XKSA1 製品の属性

品番 : IDH10G120C5XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220-2
シリーズ : CoolSiC™
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 10A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 10A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 62µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 525pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-1
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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