Infineon Technologies - IRF7807ZTRPBF

KEY Part #: K6416662

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品番:
IRF7807ZTRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール, パワードライバーモジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7807ZTRPBF 製品の属性

品番 : IRF7807ZTRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 11A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 13.8 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.25V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 11nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 770pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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