ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S16160J-7CTLA2-TR

KEY Part #: K937497

IS45S16160J-7CTLA2-TR 価格設定(USD) [17129個在庫]

  • 1 pcs$2.98960
  • 1,500 pcs$2.97472

品番:
IS45S16160J-7CTLA2-TR
メーカー:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
詳細な説明:
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP. DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS, T&R
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、データ収集-A / Dコンバーター(ADC), リニア-アナログ乗算器、除算器, 組み込み-DSP(デジタルシグナルプロセッサ), インターフェース-コーデック, クロック/タイミング-クロックジェネレーター、PLL、周波数シンセサイザー, インターフェース-アナログスイッチ、マルチプレクサ、デマルチプレクサ, PMIC-電源管理-専門 and PMIC-電圧レギュレータ-リニアレギュレータコントローラを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2-TR electronic components. IS45S16160J-7CTLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S16160J-7CTLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S16160J-7CTLA2-TR 製品の属性

品番 : IS45S16160J-7CTLA2-TR
メーカー : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
説明 : IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
メモリタイプ : Volatile
メモリフォーマット : DRAM
技術 : SDRAM
メモリー容量 : 256Mb (16M x 16)
クロック周波数 : 143MHz
書き込みサイクル時間-ワード、ページ : -
アクセス時間 : 5.4ns
メモリインターフェース : Parallel
電圧-供給 : 3V ~ 3.6V
動作温度 : -40°C ~ 105°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ : 54-TSOP II

最新ニュース

あなたも興味があるかもしれません
  • MB85RS2MTAPH-G-JNE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 40MHZ 8DIP.

  • AT28BV256-20SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 200NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • 71V25761S183PFGI8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb PBSRAM 128K x 36 w/2.5V I/O Pipeline

  • EDB5432BEBH-1DAUT-F-D

    Micron Technology Inc.

    IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA.

  • TH58BYG2S3HBAI6

    Toshiba Memory America, Inc.

    IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)