ON Semiconductor - NRVB8H100MFST1G

KEY Part #: K6444586

NRVB8H100MFST1G 価格設定(USD) [367975個在庫]

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品番:
NRVB8H100MFST1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NRVB8H100MFST1G 製品の属性

品番 : NRVB8H100MFST1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : DIODE SCHOTTKY 100V 8A 5DFN
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 8A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 900mV @ 8A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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