説明 :
SCHOTTKY DIODE SIC 1200V 20A
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
1.8V @ 20A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
1142pF @ 1V, 1MHz
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263-2L
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C