GeneSiC Semiconductor - MBR50060CTR

KEY Part #: K6468600

MBR50060CTR 価格設定(USD) [1106個在庫]

  • 1 pcs$39.14459
  • 25 pcs$30.25015

品番:
MBR50060CTR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER. Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 2TWR 20-100V 500A 60P42RV
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor MBR50060CTR electronic components. MBR50060CTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBR50060CTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MBR50060CTR 製品の属性

品番 : MBR50060CTR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE MODULE 600V 500A 2TOWER
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオード構成 : 1 Pair Common Anode
ダイオードタイプ : Schottky, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io)(ダイオードごと) : 500A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 800mV @ 250A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 1mA @ 20V
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Twin Tower
サプライヤーデバイスパッケージ : Twin Tower
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