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- 品番:
- BAS216,115
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. BAS216,115 electronic components. BAS216,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS216,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS216,115 製品の属性
品番 :
BAS216,115
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD2
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
75V
電流-平均整流（Io） :
250mA (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 150mA
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
4ns
電流-Vrでの逆漏れ :
1µA @ 75V
静電容量@ Vr、F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SOD-110
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOD110
動作温度-ジャンクション :
150°C (Max)
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