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Microsemi Corporation - JAN1N5802US

KEY Part #: K6426959

JAN1N5802US 価格設定（USD） [7195個在庫]

  • 1 pcs$5.72756
  • 100 pcs$5.14244
品番:
JAN1N5802US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A. ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 50V TRR 25NS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-IGBT-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5802US electronic components. JAN1N5802US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5802US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5802US 製品の属性

品番 : JAN1N5802US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/477
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 50V
電流-平均整流（Io） : 2.5A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 975mV @ 2.5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） : 25ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 25pF @ 10V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

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