Vishay Semiconductor Diodes Division - BYV98-150-TAP

KEY Part #: K6440250

BYV98-150-TAP 価格設定(USD) [230348個在庫]

  • 1 pcs$0.16138
  • 12,500 pcs$0.16057

品番:
BYV98-150-TAP
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE AVALANCHE 150V 4A SOD64. Rectifiers 4.0 Amp 150 Volt 70 Amp IFSM
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYV98-150-TAP electronic components. BYV98-150-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV98-150-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV98-150-TAP 製品の属性

品番 : BYV98-150-TAP
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE AVALANCHE 150V 4A SOD64
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Avalanche
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 4A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 5A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 35ns
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 150V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : SOD-64, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : SOD-64
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • IDD06E60BUMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 14.7A TO252.

  • IDP30E65D2XKSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 650V 60A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS