Rohm Semiconductor - RSJ550N10TL

KEY Part #: K6393597

RSJ550N10TL 価格設定(USD) [49481個在庫]

  • 1 pcs$0.87358
  • 1,000 pcs$0.86923

品番:
RSJ550N10TL
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 100V 55A LPTS.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor RSJ550N10TL electronic components. RSJ550N10TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSJ550N10TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSJ550N10TL 製品の属性

品番 : RSJ550N10TL
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 100V 55A LPTS
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 100V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 55A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 16.8 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 6150pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 100W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : LPTS
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

あなたも興味があるかもしれません
  • VN2410L-G-P013

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • DKI04103

    Sanken

    MOSFET N-CH 40V 29A TO-252.

  • FDD6630A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.