Toshiba Semiconductor and Storage - RN4989(T5L,F,T)

KEY Part #: K6529382

[2183個在庫]


    品番:
    RN4989(T5L,F,T)
    メーカー:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    詳細な説明:
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage RN4989(T5L,F,T) electronic components. RN4989(T5L,F,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN4989(T5L,F,T), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RN4989(T5L,F,T) 製品の属性

    品番 : RN4989(T5L,F,T)
    メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
    説明 : TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    トランジスタータイプ : 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    電流-コレクター(Ic)(最大) : 100mA
    電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 50V
    抵抗-ベース(R1) : 47 kOhms
    抵抗-エミッターベース(R2) : 22 kOhms
    DC電流ゲイン(hFE)(最小)@ Ic、Vce : 70 @ 10mA, 5V
    Vce飽和(最大)@ Ib、Ic : 300mV @ 250µA, 5mA
    電流-コレクターのカットオフ(最大) : 100µA (ICBO)
    頻度-遷移 : 250MHz, 200MHz
    パワー-最大 : 200mW
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    サプライヤーデバイスパッケージ : US6

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